日本ZA57630高精度阻抗分析儀
更新時(shí)間：2025-07-16
日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹：ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。
- 上一個(gè)：ZM2376日本NF 高精度LCR測(cè)試儀
- 下一個(gè)：WF1973日本NF信號(hào)發(fā)生器
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,汽車(chē)及零部件,電氣 |
日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹：
ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。
基本精度
頻率范圍
阻抗范圍
測(cè)量 AC 信號(hào)級(jí)別
DC 偏置
測(cè)量時(shí)間
測(cè)量參數(shù)
±0.08%
10 µHz～36 MHz
10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)
0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 µArms～60 mArms
?5 V ～ +5 V/?40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA
0.5 ms/point
Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs",µs, µs’, µs", FREQUENCY
快速測(cè)量 業(yè)界.5 ms/point
實(shí)現(xiàn)了業(yè)界的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線(xiàn)的節(jié)拍時(shí)間，提高測(cè)量作業(yè)的效率。
此外，通過(guò)增加設(shè)定的測(cè)量時(shí)間，使測(cè)量結(jié)果平均化，減輕噪聲的影響?？梢曅枰x擇合適的測(cè)量時(shí)間。
4種測(cè)量模式 應(yīng)對(duì)廣泛的DUT
IMPD-3T
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式
本模式可以在廣泛的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測(cè)量?？墒褂脺y(cè)試線(xiàn)及測(cè)試夾具，應(yīng)對(duì)各種形狀的試樣。
IMPD-2T
高頻測(cè)量模式
本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。使用 N 型連接器進(jìn)行 2 端子測(cè)量，即便配線(xiàn)長(zhǎng)，也可以進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。
IMPD-EXT
外部擴(kuò)展測(cè)量模式
本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進(jìn)行測(cè)量。
可以通過(guò)施加高壓信號(hào)或檢測(cè)微小電壓 / 電流進(jìn)行單獨(dú)使用本儀器無(wú)法應(yīng)對(duì)的測(cè)量。
G-PH
增益/相位測(cè)量模式
本模式可以測(cè)量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測(cè)電路施加掃描信號(hào)，高精度地測(cè)量其頻率響應(yīng)（增益、相位）。
正面面板測(cè)量端子
特點(diǎn)
結(jié)合用途配備豐富的功能！
以適合DUT特性的設(shè)定，支持高重現(xiàn)性且準(zhǔn)確的測(cè)量。
準(zhǔn)確的評(píng)價(jià)基于實(shí)際使用的操作條件。
電子零件、電子材料可能因測(cè)量頻率及施加的信號(hào)級(jí)別而表現(xiàn)出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴(lài)性，二極管等半導(dǎo)體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評(píng)價(jià)真實(shí)的特性，重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻，在實(shí)際的操作條件下進(jìn)行測(cè)量。
特點(diǎn)
● 掃頻
● 延遲功能
● 標(biāo)記操作
● 測(cè)量條件等的設(shè)定
● 自動(dòng)高密度掃頻
● 順序測(cè)量
● 量程
● 誤差校正
● 圖表顯示
豐富的功能
● 共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量
● 相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量
● 外部基準(zhǔn)時(shí)鐘
● 等效電路估算
● 相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量
● 存儲(chǔ)器操作
● 壓電常數(shù)計(jì)算
● 比較器 / 處理器接口
掃頻 頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬
AC 振幅掃描
掃頻
DC 偏置掃頻
零頻寬
不變更頻率、AC 振幅和 DC 偏置的參數(shù)，按恒定的條件進(jìn)行測(cè)量，觀(guān)察不同時(shí)間的特性變化（橫軸：時(shí)間）
● 也能應(yīng)對(duì)點(diǎn)測(cè)
按恒定的頻率 /AC 振幅 /DC偏置進(jìn)行測(cè)量，以數(shù)值顯示測(cè)量結(jié)果。多可以設(shè)定 6 個(gè)項(xiàng)目。
與比較器功能組合，可以進(jìn)行篩選及判定是否合格。
生產(chǎn)線(xiàn)內(nèi)的測(cè)量
測(cè)量條件等的設(shè)定
在 1 個(gè)界面內(nèi)直觀(guān)地進(jìn)行詳細(xì)設(shè)定
設(shè)定項(xiàng)目（SETTING VIEW）
設(shè)定圖表軸
設(shè)定頻率
量程
自動(dòng)量程
監(jiān)視測(cè)量結(jié)果，同時(shí)自動(dòng)設(shè)定合適的量程進(jìn)行測(cè)量。
檢測(cè)到超過(guò)量程的外部噪聲或直流分量時(shí)，重新設(shè)定為更大的量程并重新測(cè)量。測(cè)量數(shù)據(jù)的變化大時(shí)啟用。
固定量程
量程固定，因此不會(huì)產(chǎn)生因量程變化引發(fā)的測(cè)量值不連續(xù)（段差）。
延遲功能
如果在掃描過(guò)程中變更了頻率、AC 振幅等掃描參數(shù)，則瞬態(tài)響應(yīng)將導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)誤差。參數(shù)變更后，可以延遲開(kāi)始測(cè)量的時(shí)間。延遲包括“延遲開(kāi)始測(cè)量"和“延遲測(cè)量"，前者在開(kāi)始測(cè)量時(shí)延遲，后者在掃描過(guò)程中每次變更參數(shù)時(shí)延遲。
自動(dòng)高密度掃頻
在掃頻測(cè)量中，本功能限定在測(cè)量數(shù)據(jù)突變的區(qū)間自動(dòng)提高頻率密度進(jìn)行測(cè)量。
在壓電振蕩器、晶體振蕩器等的共振特性測(cè)量中，本功能在相位急劇變化的共振附近的測(cè)量中啟用。
誤差校正
為進(jìn)行準(zhǔn)確的評(píng)價(jià)，需根據(jù)測(cè)量誤差因子進(jìn)行校正。
為進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量，需適當(dāng)校正殘余阻抗、電纜長(zhǎng)度等各種測(cè)量誤差因子。
開(kāi)路校正
減少因殘余導(dǎo)納引起的誤差
短路校正
減少因殘余阻抗引起的誤差
負(fù)載校正
以具有已知值的試樣作為標(biāo)準(zhǔn)阻抗，校正與真值的偏差
端口延長(zhǎng)
使用長(zhǎng)電纜時(shí)，校正因傳輸延遲時(shí)間而產(chǎn)生的相位誤差
電位梯度消除
消除測(cè)量信號(hào)所含的電位波動(dòng)波形的影響。在由于電池等的充放電會(huì)引起電位變化的試樣的測(cè)量中啟用
補(bǔ)償
預(yù)先測(cè)量連接到外部的傳感器、電纜等測(cè)量系統(tǒng)的頻率特性，校正測(cè)量系統(tǒng)的誤差成分
輸入加權(quán)碼
校正探頭的衰減量及前置放大器的增益
自行校準(zhǔn)
校正自身誤差
標(biāo)記操作
本功能用于讀取所顯示的圖表中 X、Y1、Y2 的測(cè)量值。
多可使用 8 個(gè)標(biāo)記。
Δ標(biāo)記 顯示與基準(zhǔn)標(biāo)記（標(biāo)記 1）的差異
ΔTRKG 標(biāo)記
與Δ標(biāo)記同樣顯示差異，移動(dòng)到標(biāo)記 1 時(shí)，保持恒定的掃描值差異，同時(shí)進(jìn)行移動(dòng)
標(biāo)記搜索功能
可自動(dòng)搜索與設(shè)定條件一致的點(diǎn)
順序測(cè)量
本功能預(yù)先設(shè)定多項(xiàng)所需的測(cè)量條件，按照該條件依次進(jìn)行測(cè)量。多可將掃描范圍分割成 32 部分，各范圍內(nèi)按照不同的測(cè)量條件進(jìn)行測(cè)量。
可高效地測(cè)量因電壓值而使特性發(fā)生變化的多層陶瓷電容器（MLCC）、電感器及變壓器等器件。
圖表顯示
SINGLE 顯示 /SPLIT 顯示
可選擇在 1 個(gè)畫(huà)面內(nèi)顯示 1 個(gè)圖表的“SINGLE"和上下顯示 2 個(gè)圖表的“SPLIT"
相位顯示操作
±180°、0°～＋360°、－360°～0°、UNWRAP（連續(xù)顯示）、 360°移位、孔徑（群延遲特性）
跡線(xiàn)操作
可改寫(xiě)測(cè)量數(shù)據(jù)跡線(xiàn)（MEAS）和多 8 條參照數(shù)據(jù)跡線(xiàn)（REF）
自動(dòng)存儲(chǔ)
本功能在掃描測(cè)量結(jié)束后自動(dòng)將 MEAS 跡線(xiàn)復(fù)制到 REF 跡線(xiàn)中。在隨時(shí)間而變化的特性觀(guān)測(cè)中啟用。
● SPLIT 顯示
● 自動(dòng)存儲(chǔ)
共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量
本功能在測(cè)量具有共振的試樣時(shí)，使測(cè)量頻率自動(dòng)跟蹤試樣的共振頻率。 即使試樣具有振幅依賴(lài)性或共振頻率隨時(shí)間變化而波動(dòng)，也可以始終進(jìn)行與共振頻率一致的測(cè)量。本功能便于在壓電元件的共振點(diǎn)附近進(jìn)行連續(xù)測(cè)量。
共振頻率變化（1.6 kHz→1.5858 kHz）、自動(dòng)跟蹤
等效電路估算
本功能將掃頻測(cè)量獲得的阻抗特性應(yīng)用于等效電路模型，從而求出LCR 元件的值（電感值、電容值、電阻值）。準(zhǔn)備有以下 6 種模型。等效電路估算結(jié)果可以用 CSV 格式保存。
等效電路模型
壓電常數(shù)計(jì)算
本功能測(cè)量壓電陶瓷的頻率 - 阻抗特性，并計(jì)算機(jī)電耦合系數(shù)和壓電常數(shù)等。
按照 JEITA 標(biāo)準(zhǔn)《EM-4501A 壓電陶瓷振蕩器的電氣試驗(yàn)方法》規(guī)定的方法計(jì)算參數(shù)。
測(cè)量結(jié)果顯示
常數(shù)計(jì)算畫(huà)面
相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量
可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測(cè)量結(jié)果（Cp，Rp）換算為復(fù)相對(duì)介電常數(shù)進(jìn)行顯示。
● 相對(duì)介電常數(shù) εs
● 相對(duì)介電常數(shù)實(shí)部 εs’
● 相對(duì)介電常數(shù)虛部 εs"
● 損耗率 Dε
εs’?εs"
εs?Dε
相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量
可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測(cè)量結(jié)果（Ls, Rs）換算為復(fù)相對(duì)導(dǎo)磁率進(jìn)行顯示。
● 相對(duì)導(dǎo)磁率µs
● 相對(duì)導(dǎo)磁率實(shí)部 µs’
● 相對(duì)導(dǎo)磁率虛部 µs"
● 損耗率 Dµ
µs’?µs"
µs?Dµ
比較器 / 處理器接口 用于生產(chǎn)線(xiàn)!
測(cè)量速度 快 0.5 ms/point，縮短了節(jié)拍時(shí)間，
并進(jìn)一步完善了零件篩選功能!!
比較器功能針對(duì)測(cè)量結(jié)果預(yù)先設(shè)定判定范圍，為篩選試樣而進(jìn)行分類(lèi)以及判定是否合格。
比較器設(shè)定畫(huà)面
分類(lèi)判定
本功能多可將判定結(jié)果分為14類(lèi)。判定結(jié)果
極限判定
本功能在已設(shè)定的范圍內(nèi)判定測(cè)量結(jié)果是否合格。
區(qū)域判定
本功能通過(guò)X軸(掃描參數(shù))和Y1/Y2軸(測(cè)量結(jié)果)的2個(gè)維度判定掃描測(cè)量結(jié)果是否合格。
處理器接口
可以將比較器的判定結(jié)果輸出到背面面板上配備的處理器接口連接器。通過(guò)連接零件處理器，可以構(gòu)建零件的自動(dòng)判別系統(tǒng)。
外部基準(zhǔn)時(shí)鐘
外部的 10MHz 時(shí)鐘信號(hào)可以用作基準(zhǔn)時(shí)鐘。
通過(guò)使用精度高于內(nèi)部基準(zhǔn)時(shí)鐘的基準(zhǔn)時(shí)鐘，可以提高測(cè)量頻率的精度和穩(wěn)定性。
此外，通過(guò)采用與其他儀器通用的基準(zhǔn)時(shí)鐘，可以共享頻率精度。
配備于背面面板
存儲(chǔ)器操作
測(cè)量條件及測(cè)量數(shù)據(jù)可以保存到內(nèi)存或 USB 存儲(chǔ)器中，也可以進(jìn)行讀取。
● 用于電化學(xué)阻抗特性測(cè)量
配備用于測(cè)量各種電化學(xué)阻抗的功能，例如測(cè)量電池的內(nèi)部阻抗等。
● 可以從超低頻10μHz開(kāi)始測(cè)量
● 利用電位梯度消除功能，抑制充放電對(duì)電位變化測(cè)量的影響
● 利用0° SYNC功能，在相位0°處變更測(cè)量頻率，使測(cè)量前后對(duì)試樣的電荷轉(zhuǎn)移量為零。
● 利用測(cè)量同步驅(qū)動(dòng)功能，僅在測(cè)量過(guò)程中輸出信號(hào)，
從而將施加信號(hào)產(chǎn)生的電池負(fù)擔(dān)減輕到小限度。測(cè)量例
測(cè)量實(shí)績(jī)數(shù)據(jù) (各類(lèi)電子元件以及電子材料)
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電容器
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電感器
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電阻器
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壓電元件
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液體
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電路
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電容器
●0.1μF 電容 (引腳元件)
電容頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
●0.1μF 電容 (引腳元件)
阻抗頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
●4.7μF 電容器 (SMD元件)
電容ESR測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
電感器
●10μH 電感器 (SMD元件)
自諧振頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
●RFID傳輸用天線(xiàn)電感器 (PCB裝機(jī))
共振頻率測(cè)量
高頻測(cè)量模式 (IMPD-2T)
●220μH 線(xiàn)圈電感器
自諧振頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
電阻器
●50MΩ 電阻器
高阻抗測(cè)量
外部擴(kuò)張測(cè)量模式 (IMPD-EXT)
連接外部寬頻電流放大器 (SA-604F2) 所測(cè)量壓電元件
●壓電陶瓷振蕩器
共振頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
利用marker操作，顯示共振點(diǎn)的數(shù)值共振頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
使用marker操作，顯示共振點(diǎn)·共振點(diǎn)的數(shù)值液體
●純凈水
阻抗頻率測(cè)量
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
使用液體測(cè)量治具所測(cè)量介電常數(shù)測(cè)量
通過(guò)左邊的阻抗頻率測(cè)試結(jié)果所計(jì)算出的介電常數(shù)數(shù)值 (εs′, εs")
電路
●CR濾波器 (fc≒10 MHz)
增益/相位測(cè)量 (G-PH)
增益/相位測(cè)量模式
技術(shù)規(guī)格
機(jī)型
ZA56730
頻率范圍
20Hz~36MHz
測(cè)試參數(shù)
L（電感）、Q（品質(zhì)因素）、D（消耗因素）、C（電容）、Z（阻抗）、X（電抗）、ACR（交流電阻）、θ（相位角）、Y（導(dǎo)納）、G（電導(dǎo)）、 B（電納）、V、I、εs（介電常數(shù)）、Dε（損耗率）、μs（磁導(dǎo)率）、G-PH（增益/相位）
參數(shù)范圍
Z, R, X： 10μΩ ~ 100GΩ
G, Y, B： 0.01mS ~ 999.999GS
L： 0.01nH ~ 2kH
C： 1aF ~999.999GF
D： 0.00001 ~ 99999.9
Q： 0.00001 ~ 99999.9
εs、μs：1a ~999.999G
Dε、Dμ :0.00001 ~ 99999.9
V：0 ~9.99999 Vrms
I：0 ~99.9999 mArms
dB：-999.999dB ~ 999.999 dB
θ: -180.000 o ~ +179.999 o ；0.000 o ~ +360.000 o
AC信號(hào)電平
0.01 mVrms ~ 3 Vrms ； 0.1 μArms ~ 60 mArms
輸出阻抗
50Ω
等效電路
六種等效電路模型
直流偏置
內(nèi)置偏壓：-5 V ~ +5 V； -40 V ~ +40 V（1 KHz以上）
內(nèi)置偏流：-100 mA ~ 100 mA
測(cè)量模式
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量（IMPD-3T）
高頻測(cè)量（IMPD-2T）
外部擴(kuò)展測(cè)量（IMPD-EXT）
增益·相位測(cè)量(G-PH)
通信接口
GPIB、LAN、USB、RS-232
擴(kuò)展連接器
AUX連接器
存儲(chǔ)
內(nèi)存32組（每種測(cè)量模式）；外部USB存儲(chǔ)器
溫濕度
溫度0℃~+40℃（操作）、0 ~ 85%RH
輸入電壓
使用電源AC100V ~ 230V ±10% （可自動(dòng)切換），頻率50Hz / 60Hz ± 2Hz
標(biāo)準(zhǔn)配件
操作手冊(cè)、電源線(xiàn)、PA-001-3234標(biāo)準(zhǔn)治具、PA-0013233標(biāo)準(zhǔn)電阻（100Ω）
外形尺寸(mm)
430（W）×177(H)× 350(D)
凈重量
約7Kg
訂貨信息Ordering Information
ZA57630 精密阻抗分析儀36MHz
配件選配Options
1011 DIP測(cè)試夾具
1020 薄膜測(cè)試治具≤ 40 MHz1012 SMD二線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz
1022 液體測(cè)試治具≤ 40 MHz1014 SMD四線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz
1024 SMD二線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz1025 二線(xiàn)式接觸式測(cè)試治具 ≤20 MHz
1032 SMD二線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz40120 SMD鑷子式測(cè)試治 ≤ 3 MHz
10324 SMD四線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz1EV1905A 探針式測(cè)試治具≤ 3 MHz
1EV1505 四線(xiàn)式測(cè)試夾具ZM2366 三端式測(cè)試夾具≤ 10 MHz
ZM232A6 三端式測(cè)試夾具 ≤ 1.2 MHz40125 SMD鑷子式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz
ZM2363 DIP四線(xiàn)式測(cè)試夾具≤ 10 MHzPA-0013233 標(biāo)準(zhǔn)電阻（100Ω）
ZM2394 SMD二線(xiàn)式測(cè)試夾具≤ 2 MHzPA-001-3234 標(biāo)準(zhǔn)治具
ZM2394H SMD二線(xiàn)式測(cè)試夾具≤ 30 MHz1EVA40100 測(cè)試夾（細(xì)齒）≤ 3 MHz
1EVA40180 測(cè)試夾（粗齒）≤ 3 MHz
